<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><rss version="2.0"
	xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/"
	xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"
	xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"
	xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom"
	xmlns:sy="http://purl.org/rss/1.0/modules/syndication/"
	xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/"
	>

<channel>
	<title>Архивы двулучевые сканирующие микроскопы - DSystem.by</title>
	<atom:link href="https://dsystem.by/product-tag/dvuluchevye-skaniruyushhie-mikroskopy/feed/" rel="self" type="application/rss+xml" />
	<link>https://dsystem.by/product-tag/dvuluchevye-skaniruyushhie-mikroskopy/</link>
	<description>Лабораторное и промышленное измерительное оборудование</description>
	<lastBuildDate>Tue, 01 Feb 2022 14:52:44 +0000</lastBuildDate>
	<language>ru-RU</language>
	<sy:updatePeriod>
	hourly	</sy:updatePeriod>
	<sy:updateFrequency>
	1	</sy:updateFrequency>
	<generator>https://wordpress.org/?v=6.4.2</generator>

<image>
	<url>https://dsystem.by/wp-content/uploads/2021/12/dsystem_favicon-100x100.jpg</url>
	<title>Архивы двулучевые сканирующие микроскопы - DSystem.by</title>
	<link>https://dsystem.by/product-tag/dvuluchevye-skaniruyushhie-mikroskopy/</link>
	<width>32</width>
	<height>32</height>
</image> 
	<item>
		<title>TESCAN AMBER</title>
		<link>https://dsystem.by/product/tescan-amber/</link>
		
		<dc:creator><![CDATA[admin]]></dc:creator>
		<pubDate>Tue, 01 Feb 2022 14:49:19 +0000</pubDate>
				<guid isPermaLink="false">https://dsystem.by/product/tescan-amber/</guid>

					<description><![CDATA[<p>TESCAN AMBER разработан с акцентом на универсальность. Микроскоп позволяет определять параметры образцов на наноуровне, а также выполнять лабораторную модификацию материалов с помощью сфокусированного ионного пучка FIB (Focused Ion Beam). Совместное использование неиммерсионного СЭМ с ультравысоким разрешением и современного FIB Ga+ делает TESCAN AMBER удобным инструментом для подготовки образцов с микронной точностью и определения характеристик материалов на высоком уровне.</p>
<p>Сообщение <a rel="nofollow" href="https://dsystem.by/product/tescan-amber/">TESCAN AMBER</a> появились сначала на <a rel="nofollow" href="https://dsystem.by">DSystem.by</a>.</p>
]]></description>
										<content:encoded><![CDATA[<h4>Неиммерсионный сканирующий электронный микроскоп с ультравысоким разрешением в сочетании с высокопрецизионной ионной колонной для модификации образцов, анализа как поверхностных, так и более глубоких слоёв образца и 3D-анализа, позволяющий определять параметры материалов на наноуровне.</h4>
<p>
  TESCAN AMBER разработан с акцентом на универсальность. Микроскоп позволяет определять параметры образцов на наноуровне, а также выполнять лабораторную модификацию материалов с помощью сфокусированного ионного пучка FIB (Focused Ion Beam). Совместное использование неиммерсионного СЭМ с ультравысоким разрешением и современного FIB Ga<sup>+</sup> делает TESCAN AMBER удобным инструментом для подготовки образцов с микронной точностью и определения характеристик материалов на высоком уровне.
</p>
<p>
  СЭМ ультравысокого разрешения (UHR-SEM) с технологией BrightBeam™ позволяет получать изображения с очень высоким разрешением без использования иммерсионного режима и показывает свою аналитическую эффективность для самого широкого спектра материалов, будь то металлические, магнитные, не проводящие электрический ток или чувствительные к электронному пучку материалы.
</p>
<p>
  Ионная колонна Orage™ была разработана для удовлетворения самых строгих требований к пробоподготовке с помощью сфокусированного ионного пучка. Благодаря высокому разрешению FIB и широкому диапазону токов ионного пучка TESCAN AMBER позволяет подготавливать образцы высочайшего качества. Опциональные модули автоматизации, объединяющие операции в группы, либо автоматически воспроизводящие заданную последовательность операций в нескольких участках образца, облегчают выполнение рутинных задач, в том числе без контроля оператора, например, позволяют создать массивы заготовок для микромеханических тестов или подготовить в нескольких местах образца ламели для просвечивающей электронной микроскопии.
</p>
<p>
  Встроенные в колонну детекторы вторичных и обратно отражённых электронов оптимизированы для получения высококачественных изображений в точке пересечения пучков FIB и SEM. Запатентованная геометрия камеры TESCAN AMBER обладает значительным аналитическим потенциалом для размещения в камере микроскопа детекторов для микроанализа, которые позволяют проводить как мультимодальный анализ поверхности образцов, так и распространить все виды микроанализа на 3D-томографию в наномасштабе.
</p>
<p>
  Кроме того, режим Wide Field Optics™ позволяет получать изображения с широким полем обзора при минимальном увеличении, что дает возможность быстро и легко осуществлять навигацию по образцу в реальном времени.
</p>
<p>
  Благодаря настраиваемому модульному программному обеспечению TESCAN Essence™, через которое осуществляется управление микроскопом, TESCAN AMBER легко превращается из многопользовательской и многоцелевой системы в специальный инструмент для высокотехнологичных FIB-операций.
</p>
<p>
Модели микроскопов TESCAN AMBER называются AMBER GMH или AMBER GMU в зависимости от наличия режима низкого вакуума (подробнее во вкладке «Характеристики»).
</p>
<h4>Ключевые преимущества</h4>
<ul>
<li>Получение изображений с ультравысоким разрешением без использования магнитного поля вокруг образца. Проведение анализа на наноуровне</li>
<li>Высочайшая точность при подготовке образцов с помощью FIB</li>
<li>Отличные характеристики ионного пучка при низких ускоряющих напряжениях</li>
<li>Автоматическое воспроизведение FIB-операций в нескольких участках образца</li>
<li>Мультимодальная нанотомография FIB-SEM</li>
<li>Расширенное поле зрения и удобная навигация по образцу</li>
<li>Простой в использовании модульный программный интерфейс</li>
</ul>
<h4><strong>Технические характеристики</strong></h4>
<h5>Неиммерсионная электронная колонна BrightBeam™ с ультравысоким разрешением</h5>
<ul>
<li>Объективная линза, сочетающая в себе магнитную и электростатическую линзы</li>
<li>Потенциальная трубка внутри электронной колонны</li>
<li>Одновременная регистрация вторичных и обратно отражённых электронов с помощью встроенных в колонну соответствующих детекторов</li>
<li>Диапазон энергий электронного пучка, падающего на образец: 50 эВ – 30 кэВ (&lt; 50 эВ с технологией торможения пучка BDT, Beam Deceleration Technology)</li>
<li>Для изменения тока пучка в качестве устройства смены апертур используется электромагнитная линза</li>
<li>Ток пучка электронов: 2 пА – 400 нА с непрерывной регулировкой</li>
<li>Максимальное поле обзора: 7 мм при WD = 6 мм, более 50 мм при макс. WD</li>
</ul>
<h5>Ионная колонна Orage™ </h5>
<ul>
<li>Жидкометаллический источник ионов Ga<sup>+</sup> (гарантированный срок службы 3000 мкАч или 1 год)</li>
<li>30 пьезо-моторизованных апертур</li>
<li>Электростатический прерыватель пучка со встроенным цилиндром Фарадея</li>
<li>Диапазон энергий ионного пучка: 500 эВ – 30 кэВ</li>
<li>Ток пучка ионов: &lt; 1 пА – 100 нА</li>
<li>Максимальное поле обзора: 1 мм при 10 кэВ</li>
</ul>
<h5>Геометрия FIB-SEM</h5>
<ul>
<li>Точка пересечения пучков FIB и SEM на WD = 6 мм</li>
<li>Угол наклона столика образцов 55° в точке пересечения пучков FIB и SEM </li>
</ul>
<h5>Разрешение электронной колонны (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>1,5 нм при 1 кэВ (неиммерсионная оптика)</li>
<li>1,3 нм при 1 кэВ (c опцией торможения пучка BDT) * </li>
<li>0,9 нм при 15 кэВ (неиммерсионная оптика)</li>
<li>0,8 нм при 30 кэВ STEM* (неиммерсионная оптика)</li>
</ul>
<h5>Разрешение ионной колонны</h5>
<ul>
<li>2,5 нм при 30 кэВ</li>
</ul>
<h5>Компуцентрический, моторизованный по 5-ти осям столик образцов (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Диапазон перемещения столика по осям X и Y: 130 мм</li>
<li>Диапазон перемещения столика по оси Z: 90 мм</li>
<li>Диапазон компуцентрического наклона: от -60° до + 90°</li>
<li>Компуцентрическое вращение: 360° непрерывно</li>
<li>Максимальная высота образца: 90 мм (132 мм без платформы вращения)</li>
<li>Столик образцов с расширенным диапазоном перемещений *</li>
</ul>
<p> <i>Примечание: диапазон перемещений зависит от высоты образца и от конфигурации установленных на камеру детекторов и аксессуаров</i></p>
<h5>Вакуумная камера (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Внутренняя ширина: 340 мм</li>
<li>Внутренняя глубина: 315 мм</li>
<li>Количество портов 20+ (количество портов может быть изменено под задачи заказчика)</li>
<li>Тип подвески: активная электромагнитная</li>
<li>Увеличение внутреннего объема камеры для 6” и 8” пластин *</li>
<li>Увеличение внутреннего объема камеры для 6”, 8” и 12” пластин (со столиком образцов с расширенным диапазоном перемещений) *</li>
<li>Увеличение внутреннего объема камеры для дополнительного рамановского микроскопа со спектрометром (RISE™) *</li>
<li>Инфракрасная камера обзора</li>
<li>Вторая инфракрасная камера обзора *</li>
<li>Интегрированная плазменная очистка камеры образцов (деконтаминатор)</li>
</ul>
<h5>Вакуум в камере образцов (* – опционально)</h5>
<ul>
 <img fetchpriority="high" decoding="async" width="512" alt="Диапазоны давлений в камере TESCAN" src="/upload/medialibrary/11b/Vac3.png" height="308" title="Диапазоны давлений в камере TESCAN"> </p>
<li>Режим высокого вакуума HighVac™: &lt; 9 ∙ 10<sup>-3</sup> Па (AMBER GMH работает только в режиме HighVac™)</li>
<li>Режим низкого вакуума UniVac™: 7 – 500 Па * (присутствует в AMBER GMU)</li>
<li>Типы насосов: все насосы безмасляные</li>
<li>Шлюз *</li>
</ul>
<h5>Детекторы и анализаторы (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Измеритель поглощенного тока, включающий в себя функцию датчика касания</li>
<li>Внутрикамерный детектор вторичных электронов типа Эверхарта-Торнли (SE)</li>
<li>Встроенный в электронную колонну детектор вторичных электронов (MD)</li>
<li>Встроенный в электронную колонну приосевой детектор вторичных/отраженных электронов (Axial)</li>
<li>Выдвижной детектор отражённых электронов сцинтилляционного типа (R-BSE)</li>
<li>Выдвижной детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа, чувствительный в том числе в области низких энергий первичного пучка (LE-BSE) *</li>
<li>Сцинтилляционный детектор вторичных электронов для работы в режиме низкого вакуума (LVSTD) *</li>
<li>Детектор вторичных ионов (SITD) *</li>
<li>4-сегментный выдвижной полупроводниковый детектор отражённых электронов, чувствительный в том числе в области низких энергий первичного пучка (LE 4Q BSE) *</li>
<li>Выдвижной детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа с водяным охлаждением, устойчив к высоким температурам &lt;800°C *</li>
<li>Выдвижной детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа с Al-покрытием для одновременного детектирования BSE- и катодолюминесцентного излучения *</li>
<li>Выдвижной панхроматический детектор катодолюминесцентного излучения со спектральным диапазоном 350 – 650 нм *</li>
<li>Выдвижной панхроматический детектор катодолюминесцентного излучения со спектральным диапазоном 185 – 850 нм *</li>
<li>Выдвижной 4-х канальный детектор цветной катодолюминесценции Rainbow CL *</li>
<li>Выдвижной детектор прошедших электронов (R-STEM), изображения светлого поля (BF), тёмного поля (DF) и в рассеянных на большие углы электронах (HADF), держатель для 8 сеточек *</li>
<li>EDS – энергодисперсионный спектрометр (интегрированный продукт другого производителя) *</li>
<li>EBSD – анализ картин дифракции отражённых электронов (интегрированный продукт другого производителя) *</li>
<li>WDS – волнодисперсионный спектрометр (интегрированный продукт другого производителя) *</li>
<li>Интегрированный с FIB вторично-ионный масс-спектрометр (TOF-SIMS) *</li>
<li>Конфокальный рамановский микроскоп со спектрометром (RISETM) *</li>
</ul>
<h5>Система инжектирования газов (* – опционально)</h5>
<h5>Выдвижной OptiGIS™ с одним резервуаром:</h5>
<ul>
<li>Осаждение платины (стандарт)</li>
<li>Доступно до 3 OptiGIS™ на одной камере с возможностью выбора прекурсоров *</li>
<p>  5-GIS *: GIS c 5-ю независимыми резервуарами и капиллярами для 5-ти прекурсоров, но занимающий при этом только один порт камеры микроскопа, моторизация по 3-м осям
</ul>
<h5>Выбор прекурсоров (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Осаждение платины (Pt)</li>
<li>Осаждение вольфрама (W) *</li>
<li>Осаждение углерода (С) *</li>
<li>Осаждение диэлектрика (SiO<sub>x</sub>) *</li>
<li>Ускоренное травление (H<sub>2</sub>O) *</li>
<li>Ускоренное травление (XeF<sub>2</sub>) *</li>
<li>Другие прекурсоры по запросу *</li>
</ul>
<h5>Аксессуары (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Полностью интегрированный XYZ-наноманипулятор *</li>
<li>Наноманипуляторы других производителей по запросу *</li>
<li>Создание потока медленных электронов для нейтрализации заряда в процессе FIB-травления *</li>
<li>Пьезо-шаттер для защиты EDS в процессе FIB-травления *</li>
</ul>
<h5>Система сканирования</h5>
<h5>Независимые системы сканирования для FIB и SEM</h5>
<ul>
<li>Время выдержки: 20 нс – 10 мс на пиксель, регулируется ступенчато или непрерывно</li>
<li>Варианты сканирования: полный кадр, выделенная область, сканирование по линии и в точке</li>
<li>Сдвиг и вращение области сканирования, коррекция наклона поверхности образца</li>
<li>Аккумулирование линий или кадров</li>
<li>DrawBeam™: программный модуль для создания векторных шаблонов для литографии ионным пучком, цифро-аналоговый преобразователь 16-бит</li>
</ul>
<h5>Получение изображений (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Максимальный размер кадра: 16k x 16k пикселей</li>
<li>Соотношение сторон изображения: 1:1, 4:3 и 2:1</li>
<li>Сшивка изображений, размер панорам не ограничен (требуется программный модуль Image Snapper) *</li>
<li>Одновременное накопление сигналов с нескольких каналов детектирования (вплоть до 8 каналов)</li>
<li>Псевдоокрашивание изображений и микширование многоканальных сигналов</li>
<li>Множество форматов изображений, включая TIFF, PNG, BMP, JPEG и GIF</li>
<li>Глубина градаций серого (динамический диапазон): 8 или 16 бит</li>
</ul>
<p> В связи с непрерывной работой по улучшению продукции компания TESCAN оставляет за собой право изменять приведённые выше характеристики</p>
<h4><strong>ПО</strong></h4>
<h5>TESCAN Essence™</h5>
<ul>
<li>Настраиваемый графический интерфейс</li>
<li>Многопользовательский интерфейс с учетными записями с настраиваемым уровнем доступа</li>
<li>Панель быстрого поиска окон интерфейса</li>
<li>Отмена последней команды / Возврат последней команды&nbsp;</li>
<li>Отображение одного, двух, четырех или шести изображений одновременно в реальном времени</li>
<li>Многоканальное цветное живое изображение</li>
</ul>
<h5>Автоматические и полуавтоматические процедуры</h5>
<ul>
<li>Контроль эмиссии электронного и ионного пучков</li>
<li>Центрирование электронной пушки</li>
<li>Центрирование электронной колонны</li>
<li>Авто контраст/яркость, автофокус</li>
<li>In-Flight Beam Tracing™ (технология контроля и оптимизации рабочих характеристик и параметров пучка в реальном времени)</li>
<li>Оптимизация тока электронного пучка для выбранного диаметра электронного пучка, и наоборот</li>
<li>Оптимизация распределения тока вдоль профиля ионного пучка</li>
<li>Автоматическая процедура совмещения пучков FIB и SEM</li>
<li>Позиционирование и контроль температуры форсунки GIS</li>
</ul>
<h5>Программные модули Essence™ (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Измерения (расстояния; периметры и площади кругов, эллипсов, квадратов и полей неправильной формы, калибровка размера точки, экспорт измерений для статистической обработки и другие функции), контроль допусков</li>
<li>Обработка изображений (коррекция яркости/контраста, улучшение резкости, подавление шумов, сглаживание и увеличение четкости, дифференциальный контраст, коррекция тени, адаптивные фильтры, быстрое Фурье-преобразование и др. функции)</li>
<li>Предустановки</li>
<li>Гистограмма и шкала оттенков (LUT)</li>
<li>SharkSEM ™ Basic (удаленный контроль)</li>
<li>3D-модель схемы коллизий</li>
<li>Площадь объекта (выделение на снимке объектов с близким уровнем серого и измерение площади, занимаемой этими объектами)</li>
<li>Позиционер (навигация по образцу в соответствии с шаблоном, в качестве которого может выступать СЭМ-изображение, изображение с оптического микроскопа, фотография образца)</li>
<li>Draw Beam Expert (программный модуль для создания векторных шаблонов для литографии ионным пучком)</li>
<li>Таймер выключения</li>
<li>FIB-SEM томография *</li>
<li>FIB-SEM томография (расширенная версия) *</li>
<li>Автоматизация этапов создания ламелей (AutoSlicer) *</li>
<li>CORAL™ (корреляционная микроскопия для удобной навигации и совмещения СЭМ-снимков со снимками сторонних устройств, например, с оптических микроскопов) *</li>
<li>Draw Beam Automate (программный модуль для создания векторных шаблонов для литографии ионным пучком с расширенными возможностями автоматизации) *</li>
<li>Сшивка изображений (автоматический процесс накопления изображений и их сшивки) *</li>
<li>Sample Observer (обозреватель образца для создания видеоряда из серии СЭМ-снимков, автоматически накопленных через заданный промежуток времени) *</li>
<li>SharkSEM™ Advanced (создание пользовательских алгоритмов, библиотека скриптов Python) *</li>
<li>Расширенная самодиагностика *</li>
<li>Программа-клиент Synopsys (расширение модуля Позиционер, которое совмещает данные макета из внешнего ПО Avalon MaskView c изображениями SEM&nbsp;или FIB через удаленное соединение; в основном предназначено для анализа неисправностей полупроводниковых устройств) *</li>
<li>TESCAN Flow™ (обработка данных в режиме offline) *</li>
</ul>
<p>Сообщение <a rel="nofollow" href="https://dsystem.by/product/tescan-amber/">TESCAN AMBER</a> появились сначала на <a rel="nofollow" href="https://dsystem.by">DSystem.by</a>.</p>
]]></content:encoded>
					
		
		
			</item>
		<item>
		<title>TESCAN SOLARIS</title>
		<link>https://dsystem.by/product/tescan-solaris/</link>
		
		<dc:creator><![CDATA[admin]]></dc:creator>
		<pubDate>Tue, 01 Feb 2022 14:49:19 +0000</pubDate>
				<guid isPermaLink="false">https://dsystem.by/product/tescan-solaris/</guid>

					<description><![CDATA[<p>TESCAN SOLARIS – это самодостаточный инструмент FIB-SEM для изготовления наноструктур и функциональных устройств микромасштаба, разработанных в нанотехнологических дисциплинах. TESCAN SOLARIS сочетает в себе прецизионную ионную колонну и электронную колонну с ультравысоким разрешением и иммерсионной оптикой TriLens™, что позволяет выполнять лабораторную модификацию материалов с помощью сфокусированного ионного пучка FIB (Focused Ion Beam) и получать СЭМ-изображения с ультравысоким разрешением.</p>
<p>Сообщение <a rel="nofollow" href="https://dsystem.by/product/tescan-solaris/">TESCAN SOLARIS</a> появились сначала на <a rel="nofollow" href="https://dsystem.by">DSystem.by</a>.</p>
]]></description>
										<content:encoded><![CDATA[<h4>Двулучевой сканирующий электронно-ионный микроскоп FIB-SEM со сверхвысоким разрешением для исследований и модификации образцов в области современных нанотехнологий.</h4>
<p>
  TESCAN SOLARIS – это самодостаточный инструмент FIB-SEM для изготовления наноструктур и функциональных устройств микромасштаба, разработанных в нанотехнологических дисциплинах. TESCAN SOLARIS сочетает в себе прецизионную ионную колонну и электронную колонну с ультравысоким разрешением и иммерсионной оптикой TriLens™, что позволяет выполнять лабораторную модификацию материалов с помощью сфокусированного ионного пучка FIB (Focused Ion Beam) и получать СЭМ-изображения с ультравысоким разрешением.
</p>
<p>
  Ионная колонна Orage™ с галлиевым ионным пучком была разработана для удовлетворения самых строгих требований к пробоподготовке с помощью сфокусированного ионного пучка. Благодаря высокому разрешению FIB, широкому диапазону токов ионного пучка и расширенным возможностям управления шаблонами с помощью программного модуля TESCAN DrawBeam™, ионная колонна Orage™ позволяет регулярно изготавливать структуры разного уровня сложности. Опциональные модули автоматизации, объединяющие операции в группы либо автоматически воспроизводящие заданную последовательность операций в нескольких участках образца, облегчают выполнение рутинных задач, таких как подготовка ламелей TEM или создание массивов структур.
</p>
<p>
  Микроскоп TESCAN SOLARIS оснащен электронной колонной Triglav™, сочетающей в себе уникальную комбинацию иммерсионной оптики и режима crossover-free для получения изображений с ультравысоким разрешением во всем диапазоне энергий электронного пучка. Режим crossover-free — это режим, в котором нет уширения электронного пучка из-за эффекта расталкивания пространственного заряда, так как по ходу движения пучка нет кроссовера. Для проведения микроанализа и определения характеристик магнитных материалов, а также для наблюдения процесса FIB-модификации материалов в реальном времени доступен неиммерсионный аналитический режим. Внутрь электронной колонны Triglav™ встроены детекторы вторичных и обратно отраженных электронов. Также есть внутрикамерные детекторы вторичных и обратно отражённых электронов, помимо которых камера образцов может быть оснащена большим количеством других детекторов и аналитических аксессуаров, так как размер камеры образцов большой.
</p>
<p>
  Процесс изготовления наноструктур с помощью TESCAN SOLARIS может быть усовершенствован благодаря использованию дополнительных систем инжектирования газов и широкого спектра прекурсоров для ионно-лучевого осаждения или селективного травления. Опциональный электростатический прерыватель пучка для электронной колонны позволяет создавать наноструктуры не только ионной литографией, но и электронной литографией.
</p>
<p>
  Благодаря настраиваемому модульному программному обеспечению TESCAN Essence™ микроскоп TESCAN SOLARIS легко превращается из универсального многопользовательского устройства в оптимизированное решение «под ключ» для повторяющихся рабочих процессов в области нанотехнологий.
</p>
<p>
Модели микроскопов TESCAN SOLARIS называются SOLARIS GMH или SOLARIS GMU в зависимости от наличия режима низкого вакуума (подробнее во вкладке «Характеристики»).
</p>
<h4>Ключевые преимущества</h4>
<ul>
<li>Лучшие в своем классе характеристики ионного пучка</li>
<li>СЭМ-изображения ультравысокого разрешения с возможностью режима crossover-free</li>
<li>Микроскоп может выступать как устройство для прецизионного формирования наноструктур с помощью литографии как ионным, так и электронным пучками</li>
<li>Система инжектирования газов с различными прекурсорами</li>
<li>Увеличение внутреннего объема камеры для инспекции пластин размером 12”</li>
<li>Простой в использовании модульный программный интерфейс пользователя</li>
<li>Библиотека скриптов Python для создания пользовательских алгоритмов</li>
</ul>
<h4><strong>Технические характеристики</strong></h4>
<h5>Электронная колонна ультравысокого разрешения Triglav™ с иммерсионной оптикой и катодом Шоттки (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Запатентованный объектив с тремя линзами TriLens™, позволяющий получать SEM-изображения с ультравысоким разрешением, наличие аналитического (неиммерсионного) режима и режима crossover-free</li>
<li>Встроенные внутрь электронной колонны детектор вторичных электронов и приосевой детектор обратно отраженных электронов с фильтрацией по энергиям</li>
<li>Диапазон энергий электронного пучка, падающего на образеца: 200 эВ – 30 кэВ ( &lt; 200 эВ с технологией торможения пучка BDT, Beam Deceleration Technology)</li>
<li>Для изменения тока пучка в качестве устройства смены апертур используется электромагнитная линза</li>
<li>Ток пучка электронов: 2 пА – 400 нА с непрерывной регулировкой</li>
<li>Максимальное поле обзора: 4.3 мм при WD = 5 мм, более 10 мм при макс. WD</li>
</ul>
<h5>Ионная колонна Orage™ </h5>
<ul>
<li>Жидкометаллический источник ионов Ga<sup>+</sup> (гарантированный срок службы 3000 мкАч или 1 год)</li>
<li>30 пьезо-моторизованных апертур</li>
<li>Электростатический прерыватель пучка со встроенным цилиндром Фарадея</li>
<li>Диапазон энергий ионного пучка: 500 эВ – 30 кэВ</li>
<li>Ток пучка ионов: от &lt; 1 пА до 100 нА</li>
<li>Максимальное поле обзора: 1 мм при 10 кэВ</li>
</ul>
<h5>Геометрия FIB-SEM</h5>
<ul>
<li>Точка пересечения пучков FIB и SEM на WD = 5 мм</li>
<li>Угол наклона столика образцов 55° в точке пересечения пучков FIB и SEM&nbsp;</li>
</ul>
<h5>Разрешение электронной колонны (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>1,2 нм при 1 кэВ&nbsp;</li>
<li>0,9 нм при 1 кэВ (c опцией торможения пучка BDT) *</li>
<li>0,6 нм при 15 кэВ&nbsp;</li>
<li>0,5 нм при 30 кэВ с детектором STEM *&nbsp;</li>
</ul>
<h5>Разрешение ионной колонны</h5>
<ul>
<li>2,5 нм при 30 кэВ</li>
</ul>
<h5>Компуцентрический, моторизованный по 5-ти осям столик образцов (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Диапазон перемещения столика по осям X и Y: 130 мм</li>
<li>Диапазон перемещения столика по оси Z: 90 мм</li>
<li>Диапазон компуцентрического наклона: от – 60° до + 90°</li>
<li>Компуцентрическое вращение: 360° непрерывно</li>
<li>Максимальная высота образца: 90 мм (132 мм без опции вращения столика)</li>
<li>Столик образцов с расширенным диапазоном перемещений *</li>
</ul>
<p> <i>Примечание: диапазон перемещений зависит от высоты образца и от конфигурации установленных на камеру детекторов и аксессуаров</i></p>
<h5>Вакуумная камера (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Внутренняя ширина: 340 мм</li>
<li>Внутренняя глубина: 315 мм</li>
<li>Количество портов 20+ (количество портов может быть изменено под задачи заказчика)</li>
<li>Тип подвески: активная электромагнитная</li>
<li>Увеличение внутреннего объема камеры для 6” и 8” пластин *</li>
<li>Увеличение внутреннего объема камеры для 6”, 8” и 12” пластин (со столиком образцов с расширенным диапазоном перемещений) *</li>
<li>Увеличение внутреннего объема камеры для размещения дополнительного рамановского микроскопа со спектрометром (RISE™) *</li>
<li>Инфракрасная камера обзора</li>
<li>Вторая инфракрасная камера обзора *</li>
<li>Интегрированная плазменная очистка камеры образцов (деконтаминатор)</li>
</ul>
<h5>Вакуум в камере образцов (* – опционально)</h5>
<ul>
 <img decoding="async" width="512" alt="Диапазоны давлений в камере TESCAN" src="/upload/medialibrary/11b/Vac3.png" height="308" title="Диапазоны давлений в камере TESCAN"> </p>
<li>Режим высокого вакуума HighVac™: &lt;9∙10<sup>-3</sup> Па (SOLARIS GMH работает только в режиме HighVac™)</li>
<li>Режим низкого вакуума UniVac™: 7 – 500 Па * (присутствует в SOLARIS GMU)</li>
<li>Типы насосов: все насосы безмасляные</li>
<li>Шлюз *</li>
</ul>
<h5>Детекторы и измерители (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Измеритель поглощенного тока, включающий в себя функцию датчика касания</li>
<li>Внутрикамерный детектор вторичных электронов типа Эверхарта-Торнли (SE)</li>
<li>Встроенный в электронную колонну детектор вторичных электронов (In-Beam SE)</li>
<li>Встроенный в электронную колонну приосевой детектор отражённых электронов с фильтрацией по энергиям (In-Beam f-BSE)</li>
<li>Встроенный в электронную колонну детектор отражённых электронов, рассеянных на средние углы (Mid-Angle BSE)</li>
<li>Выдвижной детектор отражённых электронов сцинтилляционного типа c шаттером, чувствительный в том числе в области низких энергий первичного пучка (LE-BSE)&nbsp;</li>
<li>Выдвижной детектор отражённых электронов сцинтилляционного типа (R-BSE)*</li>
<li>4-сегментный выдвижной полупроводниковый детектор отражённых электронов, чувствительный в том числе в области низких энергий первичного пучка (LE 4Q BSE) *</li>
<li>Сцинтилляционный детектор вторичных электронов для работы в режиме низкого вакуума (LVSTD) *</li>
<li>Детектор вторичных ионов (SITD) *</li>
<li>Выдвижной детектор отражённых электронов сцинтилляционного типа с водяным охлаждением, устойчив к высоким температурам &lt; 800°C *</li>
<li>Выдвижной детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа с Al-покрытием для одновременного детектирования BSE- и катодолюминесцентного излучения (Al-BSE) *</li>
<li>Выдвижной панхроматический детектор катодолюминесцентного излучения со спектральным диапазоном 350 – 650 нм *</li>
<li>Выдвижной панхроматический детектор катодолюминесцентного излучения со спектральным диапазоном 185 – 850 нм *</li>
<li>Выдвижной 4-х канальный детектор цветной катодолюминесценции Rainbow CL *</li>
<li>Выдвижной детектор прошедших электронов (R-STEM), изображения светлого поля (BF), тёмного поля (DF) и в рассеянных на большие углы электронах (HADF), держатель для 8 сеточек *</li>
<li>EDS – энергодисперсионный спектрометр (интегрированный продукт другого производителя) *</li>
<li>EBSD – анализ картин дифракции отражённых электронов (интегрированный продукт другого производителя) *</li>
<li>WDS – волнодисперсионный спектрометр (интегрированный продукт другого производителя) *</li>
<li>Интегрированный с FIB вторично-ионный масс-спектрометр (TOF-SIMS) *</li>
<li>Конфокальный рамановский микроскоп со спектрометром (RISETM) *</li>
</ul>
<h5>Система инжектирования газов (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Выдвижной OptiGIS™ с одним резервуаром; доступно до 3 OptiGIS™ на одной камере с возможностью выбора прекурсоров *</li>
<li>5-GIS *: GIS c 5-ю независимыми резервуарами и капиллярами для 5-ти прекурсоров, но занимающий при этом только один порт камеры микроскопа, моторизация по 3-м осям</li>
</ul>
<h5>Выбор прекурсоров (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Осаждение платины (Pt) *</li>
<li>Осаждение вольфрама (W) *</li>
<li>Осаждение углерода (С) *</li>
<li>Осаждение диэлектрика (SiO<sub>x</sub>) *</li>
<li>Ускоренное травление (H<sub>2</sub>O) *</li>
<li>Ускоренное травление (XeF<sub>2</sub>) *</li>
<li>Запатентованные прекурсоры для процесса IC planar delayering (стравливание микросхем слой за слоем в планарной геометрии, а не традиционными поперечными кросс-секциями)</li>
<li>Другие прекурсоры по запросу *</li>
</ul>
<h5>Аксессуары (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Полностью интегрированный XYZ-наноманипулятор *</li>
<li>Наноманипуляторы других производителей по запросу *</li>
<li>Электростатический прерыватель электронного пучка *</li>
<li>Создание потока медленных электронов для нейтрализации заряда в процессе FIB-травления *</li>
<li>Пьезо-шаттер для защиты EDS в процессе FIB-травления *</li>
</ul>
<h5>Система сканирования</h5>
<h5>Независимые системы сканирования для FIB и SEM</h5>
<ul>
<li>Время выдержки: 20 нс – 10 мс на пиксель, регулируется ступенчато или непрерывно</li>
<li>Варианты сканирования: полный кадр, выделенная область, сканирование по линии и в точке</li>
<li>Сдвиг и вращение области сканирования, коррекция наклона поверхности образца</li>
<li>Аккумулирование линий или кадров</li>
<li>DrawBeam™: программный модуль для создания векторных шаблонов для литографии ионным пучком, цифро-аналоговый преобразователь 16-бит</li>
</ul>
<h5>Получение изображений (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Максимальный размер кадра: 16k x 16k пикселей</li>
<li>Соотношение сторон изображения: 1:1, 4:3 и 2:1</li>
<li>Сшивка изображений, размер панорам не ограничен (требуется программный модуль Image Snapper) *</li>
<li>Одновременное накопление сигналов с нескольких каналов детектирования (вплоть до 8 каналов)</li>
<li>Псевдоокрашивание изображений и микширование многоканальных сигналов</li>
<li>Множество форматов изображений, включая TIFF, PNG, BMP, JPEG и GIF</li>
<li>Глубина градаций серого (динамический диапазон): 8 или 16 бит</li>
</ul>
<p>
 В связи с непрерывной работой по улучшению продукции компания TESCAN оставляет за собой право изменять приведённые выше характеристики</p>
<h4><strong>ПО</strong></h4>
<h5>TESCAN Essence™</h5>
<ul>
<li>Настраиваемый графический интерфейс</li>
<li>Многопользовательский интерфейс с учетными записями с настраиваемым уровнем доступа</li>
<li>Панель быстрого поиска окон интерфейса</li>
<li></li>
<li>Отмена последней команды / Возврат последней команды&nbsp;</li>
<li></li>
<li>Отображение одного, двух, четырех или шести изображений одновременно в реальном времени</li>
<li>Многоканальное цветное живое изображение</li>
</ul>
<h5>Автоматические и полуавтоматические процедуры</h5>
<ul>
<li>Контроль эмиссии электронного и ионного пучков</li>
<li>Центрирование электронной пушки</li>
<li>Авто контраст/яркость, автофокус</li>
<li>In-Flight Beam Tracing™ (технология контроля и оптимизации рабочих характеристик и параметров пучков в реальном времени)</li>
<li>Оптимизация тока электронного пучка для выбранного диаметра электронного пучка, и наоборот</li>
<li>Оптимизация распределения тока вдоль профиля ионного пучка</li>
<li>Автоматическая процедура совмещения пучков FIB и SEM</li>
<li>Позиционирование и контроль температуры форсунки GIS</li>
</ul>
<h5>Программные модули Essence™ (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Измерения (расстояния; периметры и площади кругов, эллипсов, квадратов и полей неправильной формы, калибровка размера точки, экспорт измерений для статистической обработки и другие функции), контроль допусков</li>
<li>Обработка изображений (коррекция яркости/контраста, улучшение резкости, подавление шумов, сглаживание и увеличение четкости, дифференциальный контраст, коррекция тени, адаптивные фильтры, быстрое Фурье-преобразование и др. функции)</li>
<li>Предустановки</li>
<li>Гистограмма и шкала оттенков (LUT)</li>
<li>SharkSEM ™ Basic (удаленный контроль)</li>
<li>3D-модель схемы коллизий</li>
<li>Площадь объекта (выделение на снимке объектов с близким уровнем серого и измерение площади, занимаемой этими объектами)</li>
<li>Позиционер (навигация по образцу в соответствии с шаблоном, в качестве которого может выступать СЭМ-изображение, изображение с оптического микроскопа, фотография образца)</li>
<li>Draw Beam Expert (программный модуль для создания векторных шаблонов для литографии ионным и электронным пучками)</li>
<li>Таймер выключения</li>
<li>FIB-SEM томография *</li>
<li>FIB-SEM томография (расширенная версия) *</li>
<li>Автоматизация этапов создания ламелей (AutoSlicer) *</li>
<li>CORAL™ (корреляционная микроскопия для удобной навигации и совмещения СЭМ-снимков со снимками сторонних устройств, например, с оптических микроскопов) *</li>
<li>Draw Beam Automate (программный модуль для создания векторных шаблонов для литографии ионным и электронным пучками с расширенными возможностями автоматизации) *</li>
<li>Сшивка изображений (автоматический процесс накопления изображений и их сшивки) *</li>
<li>Sample Observer (обозреватель образца для создания видеоряда из серии СЭМ-снимков, автоматически накопленных через заданный промежуток времени) *</li>
<li>SharkSEM™ Advanced (создание пользовательских алгоритмов, библиотека скриптов Python) *</li>
<li>Расширенная самодиагностика *</li>
<li>Программа-клиент Synopsys (расширение модуля Позиционер, которое совмещает данные макета из внешнего ПО Avalon MaskView c изображениями СЭМ или FIB через удаленное соединение; в основном предназначено для анализа неисправностей полупроводниковых устройств) *</li>
<li>TESCAN Flow™ (обработка данных в режиме offline) *</li>
</ul>
<p>Сообщение <a rel="nofollow" href="https://dsystem.by/product/tescan-solaris/">TESCAN SOLARIS</a> появились сначала на <a rel="nofollow" href="https://dsystem.by">DSystem.by</a>.</p>
]]></content:encoded>
					
		
		
			</item>
		<item>
		<title>TESCAN AMBER X</title>
		<link>https://dsystem.by/product/tescan-amber-x/</link>
		
		<dc:creator><![CDATA[admin]]></dc:creator>
		<pubDate>Tue, 01 Feb 2022 14:49:19 +0000</pubDate>
				<guid isPermaLink="false">https://dsystem.by/product/tescan-amber-x/</guid>

					<description><![CDATA[<p>TESCAN AMBER X – аналитический двулучевой сканирующий электронно-ионный микроскоп с плазменной пушкой в качестве источника ионов и неиммерсионной электронной колонной с ультравысоким разрешением, разработанный для исследований образцов, при работе с которыми возникают затруднения у традиционных FIB-SEM с жидкометаллическим источником ионов Ga+ и SEM с катодом Шоттки.</p>
<p>Сообщение <a rel="nofollow" href="https://dsystem.by/product/tescan-amber-x/">TESCAN AMBER X</a> появились сначала на <a rel="nofollow" href="https://dsystem.by">DSystem.by</a>.</p>
]]></description>
										<content:encoded><![CDATA[<h4>Двулучевой сканирующий электронно-ионный микроскоп FIB-SEM с плазменной пушкой в качестве источника ионов и неиммерсионной электронной колонной с ультравысоким разрешением для исследований широкого круга материалов.</h4>
<p>
  TESCAN AMBER X – аналитический двулучевой сканирующий электронно-ионный микроскоп с плазменной пушкой в качестве источника ионов и неиммерсионной электронной колонной с ультравысоким разрешением, разработанный для исследований образцов, при работе с которыми возникают затруднения у традиционных FIB-SEM с жидкометаллическим источником ионов Ga<sup>+</sup> и SEM с катодом Шоттки.
</p>
<p>
  TESCAN AMBER X сочетает в себе ионную колонну (FIB) с плазменной ионной пушкой и электронную колонну BrightBeam™, что позволяет с высокой эффективностью создавать поперечные сечения большой площади и получать изображения с ультравысоким разрешением в неиммерсионном режиме при проведении двух- и трехмерных мультимодальных исследований широкого спектра традиционных и новых материалов. С помощью микроскопа TESCAN AMBER X ваша лаборатория сможет соответствовать запросам на исследования материалов, которые у вас есть на сегодняшний день, а также вы будете подготовленными к анализу материалов будущего.
</p>
<p>
  TESCAN AMBER X с плазменной ионной пушкой позволяет быстро создавать поперечные сечения большой площади (вплоть до ширины 1 мм), а также изготавливать поперечные сечения обычных (небольших) размеров и проводить их полировку. Инертная природа ионов ксенона Xe<sup>+</sup> позволяет без артефактов подготовить ионным пучком к исследованию такие материалы, как, например, алюминий, без риска, что микроструктурные или механические свойства этих материалов под воздействием пучка ионов будут видоизменены. Ионы Xe<sup>+</sup> создают минимальные повреждения образца и имеют значительно меньшую степень имплантации по сравнению с ионами Ga<sup>+</sup>, которые используются в традиционных FIB с жидкометаллическим источником ионов галлия в качестве ионной пушки.
</p>
<p>
  Работа внутрилинзовых детекторов вторичных и обратно отражённых электронов оптимизирована для получения высококачественных изображений в точке пересечения ионного и электронного пучков. Запатентованная геометрия камеры TESCAN AMBER X обладает значительным аналитическим потенциалом с точки зрения размещения в камере микроскопа детекторов для микроанализа, которые позволяют проводить не только микроанализ поверхности образцов, но также и мультимодальную 3D-томографию.&nbsp;
</p>
<p>
  Благодаря настраиваемому модульному программному обеспечению TESCAN Essence™, через которое осуществляется управление микроскопом, TESCAN AMBER X легко превращается из многопользовательской и многоцелевой системы в специальный инструмент для выполнения FIB-операций с высокой эффективностью.
</p>
<p>
Модели микроскопов TESCAN AMBER X называются AMBER X GMH или AMBER X GMU в зависимости от наличия режима низкого вакуума (подробнее во вкладке «Характеристики»).
</p>
<h4>Ключевые преимущества</h4>
<ul>
<li>Высокая производительность, создание поперечных сечений большой площади (шириной вплоть до 1 мм)</li>
<li>Подготовка образцов на микроуровне без имплантирования в материал образца ионов Ga<sup>+</sup></li>
<li>Получение изображений с ультравысоким разрешением без использования магнитного поля вокруг образца, проведение микроанализа</li>
<li>Внутрилинзовые детекторы вторичных и обратно отражённых электронов</li>
<li>Оптимизация токов электронного и ионного пучков для проведения высокопроизводительной мультимодальной FIB-SEM томографии</li>
<li>Расширенное поле обзора и удобная навигация по образцу</li>
<li>Простой в использовании модульный графический интерфейс пользователя Essence™</li>
</ul>
<p> FIB – от англ. focused ion beam, сфокусированный ионный пучок&nbsp;<br />
 SEM – от англ. scanning electron microscope, сканирующий электронный микроскоп <br />
 BDT – от англ. beam deceleration technology, технология торможения пучка</p>
<h4><strong>Технические характеристики</strong></h4>
<h5>Неиммерсионная электронная колонна BrightBeam™ с ультравысоким разрешением</h5>
<ul>
<li>Источник электронов: катод Шоттки</li>
<li>Объективная линза, сочетающая в себе магнитную и электростатическую линзы</li>
<li>Потенциальная трубка внутри электронной колонны</li>
<li>Одновременная регистрация вторичных и обратно отражённых электронов с помощью встроенных в колонну соответствующих детекторов</li>
<li>Диапазон энергий электронного пучка, падающего на образец: 50 эВ – 30 кэВ (&lt; 50 эВ с технологией торможения пучка BDT, Beam Deceleration Technology) *</li>
<li>Для изменения тока пучка в качестве устройства смены апертур используется электромагнитная линза</li>
<li>Ток пучка электронов: 2 пА – 400 нА с непрерывной регулировкой</li>
<li>Максимальное поле обзора: 7 мм при WD = 6 мм, более 50 мм при макс. WD</li>
</ul>
<h5>Ионная колонна с плазменной пушкой i-FIB+™</h5>
<ul>
<li>Источник ионов: плазменная пушка, генерирующая ионы ксенона Xe<sup>+</sup> (тип пушки ECR), время жизни источника не ограничено</li>
<li>30 пьезо-моторизованных апертур</li>
<li>Электростатический прерыватель пучка со встроенным цилиндром Фарадея</li>
<li>Диапазон энергий ионного пучка: 3 кэВ – 30 кэВ</li>
<li>Ток пучка ионов: 1 пА –3 мкА&nbsp;</li>
<li>Максимальное поле обзора: 1 мм&nbsp;</li>
</ul>
<h5>Геометрия FIB-SEM</h5>
<ul>
<li>Точка пересечения пучков FIB и SEM на WD = 6 мм</li>
<li>Угол наклона столика образцов 55° в точке пересечения пучков FIB и SEM&nbsp;</li>
</ul>
<h5>Разрешение электронной колонны (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>1,5 нм при 1 кэВ (неиммерсионная оптика)</li>
<li>1,3 нм при 1 кэВ (c опцией торможения пучка BDT) *</li>
<li>0,9 нм при 15 кэВ (неиммерсионная оптика)</li>
<li>0,8 нм при 30 кэВ STEM * (неиммерсионная оптика)</li>
</ul>
<h5>Разрешение ионной колонны</h5>
<ul>
<li>12 нм при 30 кэВ</li>
</ul>
<h5>Компуцентрический, моторизованный по 5-ти осям столик образцов (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Диапазон перемещения столика по осям X и Y: 130 мм</li>
<li>Диапазон перемещения столика по оси Z: 90 мм</li>
<li>Диапазон компуцентрического наклона: от – 60° до + 90°</li>
<li>Компуцентрическое вращение: 360° непрерывно</li>
<li>Максимальная высота образца: 90 мм (132 мм без платформы вращения)</li>
<li>Столик образцов с расширенным диапазоном перемещений *</li>
</ul>
<p> <i>Примечание: диапазон перемещений зависит от высоты образца и от конфигурации установленных на камеру детекторов и аксессуаров</i></p>
<h5>Вакуумная камера (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Внутренняя ширина: 340 мм</li>
<li>Внутренняя глубина: 315 мм</li>
<li>Количество портов 20+ (количество портов может быть изменено под задачи заказчика)</li>
<li>Тип подвески: активная электромагнитная</li>
<li>Увеличение внутреннего объема камеры для 6” и 8” пластин *</li>
<li>Увеличение внутреннего объема камеры для 6”, 8” и 12” пластин (со столиком образцов с расширенным диапазоном перемещений) *</li>
<li>Увеличение внутреннего объема камеры для размещения дополнительного рамановского микроскопа со спектрометром (RISE™) *</li>
<li>Инфракрасная камера обзора</li>
<li>Вторая инфракрасная камера обзора *</li>
<li>Интегрированная плазменная очистка камеры образцов (деконтаминатор)</li>
</ul>
<h5>Вакуум в камере образцов (* – опционально)</h5>
<ul>
 <img decoding="async" width="512" alt="Диапазоны давлений в камере TESCAN" src="/upload/medialibrary/11b/Vac3.png" height="308" title="Диапазоны давлений в камере TESCAN"> </p>
<li>Режим высокого вакуума&nbsp;HighVac™: &lt; 9∙10<sup>-3</sup> Па (AMBER X GMH работает только в режиме HighVac™)</li>
<li>Режим низкого вакуума UniVac™: 7 – 500 Па * (присутствует в AMBER X GMU)</li>
<li>Типы насосов: все насосы безмасляные</li>
<li>Шлюз *</li>
</ul>
<h5>Детекторы и измерители (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Измеритель поглощенного тока, включающий в себя функцию датчика касания</li>
<li>Внутрикамерный детектор вторичных электронов типа Эверхарта-Торнли (SE)</li>
<li>Встроенный в электронную колонну детектор вторичных электронов (MD)</li>
<li>Встроенный в электронную колонну приосевой детектор вторичных/отраженных электронов (Axial)</li>
<li>Сцинтилляционный детектор вторичных электронов для работы в режиме низкого вакуума (LVSTD) *</li>
<li>Детектор вторичных ионов (SITD) *</li>
<li>Выдвижной детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа, чувствительный в том числе в области низких энергий первичного пучка (LE-BSE) *</li>
<li>Выдвижной детектор отражённых электронов сцинтилляционного типа (R-BSE) *</li>
<li>4-сегментный выдвижной полупроводниковый детектор отражённых электронов, чувствительный в том числе в области низких энергий первичного пучка (LE 4Q BSE) *</li>
<li>Выдвижной детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа с водяным охлаждением, устойчив к высоким температурам &lt;800°C *</li>
<li>Выдвижной детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа с Al-покрытием для одновременного детектирования BSE- и катодолюминесцентного излучения *</li>
<li>Выдвижной панхроматический детектор катодолюминесцентного излучения со спектральным диапазоном 350 – 650 нм *</li>
<li>Выдвижной панхроматический детектор катодолюминесцентного излучения со спектральным диапазоном 185 – 850 нм *</li>
<li>Выдвижной 4-х канальный детектор цветной катодолюминесценции Rainbow CL *</li>
<li>Выдвижной детектор прошедших электронов (R-STEM), изображения светлого поля (BF), тёмного поля (DF) и в рассеянных на большие углы электронах (HADF), держатель для 8 сеточек *</li>
<li>EDS – энергодисперсионный спектрометр (интегрированный продукт другого производителя), при приобретении EDS требуется шаттер для защиты EDS в течение FIB-процессов *</li>
<li>EBSD – анализ картин дифракции отражённых электронов (интегрированный продукт другого производителя) *</li>
<li>WDS – волнодисперсионный спектрометр (интегрированный продукт другого производителя) *</li>
<li>Интегрированный с FIB вторично-ионный масс-спектрометр (TOF-SIMS) *</li>
<li>Конфокальный рамановский микроскоп со спектрометром (RISE™) *</li>
</ul>
<h5>Система инжектирования газов (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Выдвижной OptiGIS™ с одним резервуаром; доступно до 3 OptiGIS™ на одной камере с возможностью выбора прекурсоров *</li>
<li>5-GIS *: GIS c 5-ю независимыми резервуарами и капиллярами для 5-ти прекурсоров, но занимающий при этом только один порт камеры микроскопа, моторизация по 3-м осям</li>
</ul>
<h5>Выбор прекурсоров (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Осаждение платины (Pt) *, рекомендуемая опция</li>
<li>Осаждение вольфрама (W) *</li>
<li>Осаждение углерода (С) *</li>
<li>Осаждение диэлектрика (SiO<sub>x</sub>) *</li>
<li>Ускоренное травление (H<sub>2</sub>O) *</li>
<li>Ускоренное травление (XeF<sub>2</sub>) *</li>
<li>Запатентованные прекурсоры для процесса IC planar delayering (стравливание микросхем слой за слоем в планарной геометрии, а не традиционными поперечными кросс-секциями) *</li>
<li>Другие прекурсоры по запросу *</li>
</ul>
<h5>Аксессуары (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Полностью интегрированный XYZ-наноманипулятор *, рекомендуемая опция</li>
<li>Опция Rocking Stage (качающийся столик) для создания кросс-секций, на поверхности которых нет артефакта «занавески» *</li>
<li>Набор кремниевых масок True-X для создания безартефактных поперечных сечений *, рекомендуемая опция</li>
<li>Наноманипуляторы других производителей по запросу *</li>
<li>Создание потока медленных электронов для нейтрализации заряда в процессе FIB-травления *</li>
<li>Пьезо-шаттер для защиты EDS в процессе FIB-травления *</li>
</ul>
<h5>Система сканирования</h5>
<h5>Независимые системы сканирования для FIB и SEM</h5>
<ul>
<li>Время выдержки: 20 нс – 10 мс на пиксель, регулируется ступенчато или непрерывно</li>
<li>Варианты сканирования: полный кадр, выделенная область, сканирование по линии и в точке</li>
<li>Сдвиг и вращение области сканирования, коррекция наклона поверхности образца</li>
<li>Аккумулирование линий или кадров</li>
<li>DrawBeam™: программный модуль для создания векторных шаблонов для литографии ионным пучком, цифро-аналоговый преобразователь 16-бит</li>
</ul>
<h5>Получение изображений (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Максимальный размер кадра: 16k x 16k пикселей</li>
<li>Соотношение сторон изображения: 1:1, 4:3 и 2:1</li>
<li>Сшивка изображений, размер панорам не ограничен (требуется программный модуль Image Snapper) *</li>
<li>Одновременное накопление сигналов с нескольких каналов детектирования (вплоть до 8 каналов)</li>
<li>Псевдоокрашивание изображений и микширование многоканальных сигналов</li>
<li>Множество форматов изображений, включая TIFF, PNG, BMP, JPEG и GIF</li>
<li>Глубина градаций серого (динамический диапазон): 8 или 16 бит</li>
</ul>
<p>
 В связи с непрерывной работой по улучшению продукции компания TESCAN оставляет за собой право изменять приведённые выше характеристики</p>
<h4><strong>ПО</strong></h4>
<h5>TESCAN Essence™</h5>
<ul>
<li>Настраиваемый графический интерфейс</li>
<li>Многопользовательский интерфейс с учетными записями с настраиваемым уровнем доступа</li>
<li>Панель быстрого поиска окон интерфейса</li>
<li>Отменить последнюю команду / Вернуть последнюю команду</li>
<li>Отображение одного, двух, четырех или шести изображений одновременно в реальном времени</li>
<li>Многоканальное цветное живое изображение</li>
</ul>
<h5>Автоматические и полуавтоматические процедуры</h5>
<ul>
<li></li>
<li></li>
<li>Контроль эмиссии электронного и ионного пучков</li>
<li>Центрирование электронной пушки</li>
<li>Авто контраст/яркость, автофокус</li>
<li>In-Flight Beam Tracing™ (технология контроля и оптимизации рабочих характеристик и параметров пучка в реальном времени)</li>
<li>Оптимизация тока электронного пучка для выбранного диаметра электронного пучка, и наоборот</li>
<li>Оптимизация распределения тока вдоль профиля ионного пучка</li>
<li>Автоматическая процедура совмещения пучков FIB и SEM</li>
<li>Позиционирование и контроль температуры форсунки GIS</li>
</ul>
<h5>Программные модули Essence™ (* – опционально)</h5>
<ul>
<li></li>
<li></li>
<li>Измерения (расстояния; периметры и площади кругов, эллипсов, квадратов и полей неправильной формы, калибровка размера точки, экспорт измерений для статистической обработки и другие функции), контроль допусков</li>
<li>Обработка изображений (коррекция яркости/контраста, улучшение резкости, подавление шумов, сглаживание и увеличение четкости, дифференциальный контраст, коррекция тени, адаптивные фильтры, быстрое Фурье-преобразование и др. функции)</li>
<li>Предустановки</li>
<li>Гистограмма и шкала оттенков (LUT)</li>
<li>SharkSEM™ Basic (удаленный контроль)</li>
<li>3D-модель схемы коллизий</li>
<li>Площадь объекта (выделение на снимке объектов с близким уровнем серого и измерение площади, занимаемой этими объектами)</li>
<li>Позиционер (навигация по образцу в соответствии с шаблоном, в качестве которого может выступать СЭМ-изображение, изображение с оптического микроскопа, фотография образца)</li>
<li>Draw BeamTM Live/Expert (программный модуль для создания векторных шаблонов для литографии ионным пучком)</li>
<li>Таймер выключения</li>
<li>FIB-SEM томография *</li>
<li>FIB-SEM томография (расширенная версия) *</li>
<li>CORAL™ (корреляционная микроскопия для удобной навигации и совмещения СЭМ-снимков со снимками сторонних устройств, например, с оптических микроскопов) *</li>
<li>Draw Beam Automate (программный модуль для создания векторных шаблонов для литографии ионным пучком с расширенными возможностями автоматизации) *</li>
<li>Сшивка изображений (автоматический процесс накопления изображений и их сшивки) *</li>
<li>Sample Observer (обозреватель образца для создания видеоряда из серии СЭМ-снимков, автоматически накопленных через заданный промежуток времени) *</li>
<li>SharkSEM™ Advanced (создание пользовательских алгоритмов, библиотека скриптов Python) *</li>
<li>Расширенная самодиагностика *</li>
<li>Программа-клиент Synopsys (расширение модуля Позиционер, которое совмещает данные макета из внешнего ПО Avalon MaskView c изображениями СЭМ или FIB через удаленное соединение; в основном предназначено для анализа неисправностей полупроводниковых устройств) *</li>
<li>TESCAN Flow™ (обработка данных в режиме offline) *</li>
</ul>
<p>Сообщение <a rel="nofollow" href="https://dsystem.by/product/tescan-amber-x/">TESCAN AMBER X</a> появились сначала на <a rel="nofollow" href="https://dsystem.by">DSystem.by</a>.</p>
]]></content:encoded>
					
		
		
			</item>
		<item>
		<title>TESCAN SOLARIS X</title>
		<link>https://dsystem.by/product/tescan-solaris-x/</link>
		
		<dc:creator><![CDATA[admin]]></dc:creator>
		<pubDate>Tue, 01 Feb 2022 14:49:19 +0000</pubDate>
				<guid isPermaLink="false">https://dsystem.by/product/tescan-solaris-x/</guid>

					<description><![CDATA[<p>Микроскоп TESCAN SOLARIS X расширяет возможности FIB-анализа физических отказов корпусированных микроэлектромеханических и оптоэлектронных устройств благодаря мощной плазменной ионной пушке i-FIB+™ Xe, которая позволяет изготавливать кросс-секции глубокие и широкие (вплоть до ширины 1 мм). Комбинация высокопроизводительной ионной пушки i-FIB+™ Xe с современным поколением иммерсионной электронной колонны Triglav™, оснащенной трёхлинзовым объективом TriLens™, привлекательна с точки зрения не только изготовления, но и изучения полученных кросс-секций.</p>
<p>Сообщение <a rel="nofollow" href="https://dsystem.by/product/tescan-solaris-x/">TESCAN SOLARIS X</a> появились сначала на <a rel="nofollow" href="https://dsystem.by">DSystem.by</a>.</p>
]]></description>
										<content:encoded><![CDATA[<h4>Двулучевой сканирующий электронно-ионный микроскоп FIB-SEM с плазменной пушкой в качестве источника ионов и электронной колонной сверхвысокого разрешения. Широкоформатные поперечные сечения ионным пучком для анализа отказов многокомпонентных изделий в собранном виде.</h4>
<p>
  Микроскоп TESCAN SOLARIS X расширяет возможности FIB-анализа физических отказов корпусированных микроэлектромеханических и оптоэлектронных устройств благодаря мощной плазменной ионной пушке i-FIB+™ Xe, которая позволяет изготавливать кросс-секции глубокие и широкие (вплоть до ширины 1 мм). Комбинация высокопроизводительной ионной пушки i-FIB+™ Xe с современным поколением иммерсионной электронной колонны Triglav™, оснащенной трёхлинзовым объективом TriLens™, привлекательна с точки зрения не только изготовления, но и изучения полученных кросс-секций.
</p>
<p>
  Модификация микросхем с помощью плазменной пушки в качестве источника ионов Xe<sup>+</sup> позволяет стравливать большие объемы материала без недостатков, присущих традиционным методам послойного препарирования микросхем, которые зачастую занимают много времени, разрушительны для всей микросхемы в целом (а не только для вскрываемого участка), зависят от квалификации оператора и могут вызывать нежелательные механические/тепловые артефакты. Степень имплантации ионов Xe<sup>+</sup> и глубина их проникновения в материал образца значительно меньше, чем у ионов Ga<sup>+</sup>. Кроме того, инертная природа ионов Xe<sup>+</sup> предотвращает образование интерметаллических соединений с материалом образца, которые в противном случае могут приводить к изменениям физико-химических свойств образца и препятствовать последующим тестовым электрическим измерениям вскрытых областей.
</p>
<p>
  Микроскоп TESCAN SOLARIS X оснащен электронной колонной Triglav™, в которой используется запатентованный объектив TriLens™, состоящий из трех линз. Этот иммерсионный объектив ультравысокого разрешения идеально подходит для получения СЭМ-изображений немагнитных образцов и чувствительных к электронному пучку образцов при низких энергиях электронного пучка. Неиммерсионный аналитический режим работы микроскопа позволяет получать СЭМ-изображения с высоким разрешением, проводить мониторинг FIB-операций в реальном времени и иметь широкое поле обзора для бесшовной, быстрой и простой навигации по образцу. Третья объективная линза формирует различные режимы получения изображений (например, режим с расширенной глубиной резкости) и оптимизирует форму электронного пятна при больших токах электронного пучка. Система детекторов, встроенных внутрь колонны, включает в себя три SE-детектора TriSE™ и три BSE-детектора TriBE™, что позволяет оптимизировать методы контрастирования благодаря селекции вторичных и обратно отражённых электронов по углам рассеяния и таким образом получать больше информации об исследуемом образце. Кроме того, чувствительность сигнала обратно отражённых электронов к самым тонким приповерхностным структурам образца может быть повышена за счет фильтрации отражённых электронов по энергиям.
</p>
<p>
  Графический пользовательский интерфейс TESCAN Essence™, который включает в себя программный модуль для создания векторных шаблонов для литографии ионным пучком DrawBeam™ FIB, может быть настроен для конкретных рабочих процессов с учетом навыков и/или предпочтений пользователя. Кроме того, выбор программных модулей, мастеров настройки и рецептов для выстраивания логической последовательности операций делает работу с FIB-SEM простой и понятной как для начинающих, так и для опытных пользователей.
</p>
<p>
Модели микроскопов TESCAN SOLARIS X называются SOLARIS X GMH или SOLARIS X GMU в зависимости от наличия режима низкого вакуума (подробнее во вкладке «Характеристики»).
</p>
<h4>Ключевые преимущества</h4>
<ul>
<li>Изготовление безартефактных поперечных сечений большой площади для анализа физических отказов изделий, созданных по передовым технологиям сборки</li>
<li>Изготовление с помощью ионной колонны больших поперечных сечений вплоть до 1 мм в ширину</li>
<li>Получение СЭМ-изображений с низким уровнем шумов и быстрым временем накопления даже при низких энергиях пучка электронов. Образец может быть наклонён</li>
<li>СЭМ-мониторинг FIB-операций в реальном времени для точного определения момента их окончания, мониторинг происходит в точке совмещения пучков FIB и SEM</li>
<li>Встроенные внутрь электронной колонны детекторы вторичных и обратно отражённых электронов TriSE™ и TriBE™ с селекцией по углам рассеяния и по энергиям</li>
<li>Эффективные методы и рецепты, которые позволяют с использованием FIB-пучка с большим током изготовить поперечное сечение быстро, и при этом без артефактов. Есть рецепты в том числе для композитных образцов (OLED- и TFT-дисплеи, MEMS-устройства, изолирующие диэлектрики)</li>
<li>Простой в использовании модульный пользовательский интерфейс Essence™</li>
</ul>
<h4><strong>Технические характеристики</strong></h4>
<h5>Электронная колонна Triglav™ с ультравысоким разрешением (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Запатентованный объектив с тремя линзами TriLens™, позволяющий получать SEM-изображения с ультравысоким разрешением, также в наличии аналитический (неиммерсионный) режим и режим crossover-free</li>
<li>Встроенные внутрь электронной колонны детектор вторичных электронов и приосевой детектор обратно отражённых электронов с фильтрацией по энергиям</li>
<li>Диапазон энергий электронного пучка, падающего на образец: 200 эВ – 30 кэВ (&lt; 50 эВ с технологией торможения пучка BDT, Beam Deceleration Technology)</li>
<li>Для изменения тока пучка в качестве устройства смены апертур используется электромагнитная линза</li>
<li>Ток пучка электронов: 2 пА – 400 нА с непрерывной регулировкой</li>
<li>Максимальное поле обзора: 4.3 мм при WD = 5 мм, более 10 мм при макс. WD</li>
</ul>
<h5>Ионная колонна с плазменной пушкой i-FIB+™</h5>
<ul>
<li>Источник ионов: плазменная пушка, генерирующая ионы ксенона Xe+ (типа ECR), время жизни источника не ограничено</li>
<li>30 пьезо-моторизованных апертур</li>
<li>Электростатический прерыватель пучка со встроенным цилиндром Фарадея</li>
<li>Диапазон энергий ионного пучка: 3 кэВ – 30 кэВ</li>
<li>Ток пучка ионов: 1 пА –3 мкА</li>
<li>Максимальное поле обзора: 1 мм&nbsp;</li>
</ul>
<h5>Геометрия FIB-SEM</h5>
<ul>
<li>Точка пересечения пучков FIB и SEM на WD = 5 мм</li>
<li>Угол наклона столика образцов 55° в точке пересечения пучков FIB и SEM&nbsp;</li>
</ul>
<h5>Разрешение электронной колонны (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>1,2 нм при 1 кэВ&nbsp;</li>
<li>0,9 нм при 1 кэВ (c опцией торможения пучка BDT) *</li>
<li>0,6 нм при 15 кэВ&nbsp;</li>
<li>0,5 нм при 30 кэВ с детектором STEM *&nbsp;</li>
</ul>
<h5>Разрешение ионной колонны</h5>
<ul>
<li>12 нм при 30 кэВ</li>
</ul>
<h5>Компуцентрический, моторизованный по 5-ти осям столик образцов (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Диапазон перемещения столика по осям X и Y: 130 мм</li>
<li>Диапазон перемещения столика по оси Z: 90 мм</li>
<li>Диапазон компуцентрического наклона: от – 60° до + 90°</li>
<li>Компуцентрическое вращение: 360° непрерывно</li>
<li>Максимальная высота образца: 90 мм (132 мм без опции вращения столика)</li>
<li>Столик образцов с расширенным диапазоном перемещений *</li>
</ul>
<p> <i>Примечание: диапазон перемещений зависит от высоты образца и от конфигурации установленных на камеру детекторов и аксессуаров</i></p>
<h5>Вакуумная камера (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Внутренняя ширина: 340 мм</li>
<li>Внутренняя глубина: 315 мм</li>
<li>Количество портов 20+ (количество портов может быть изменено под задачи заказчика)</li>
<li>Тип подвески: активная электромагнитная</li>
<li>Увеличение внутреннего объема камеры для 6” и 8” пластин *</li>
<li>Увеличение внутреннего объема камеры для 6”, 8” и 12” пластин (со столиком образцов с расширенным диапазоном перемещений) *</li>
<li>Увеличение внутреннего объема камеры для размещения рамановского микроскопа со спектрометром (RISE™) *</li>
<li>Инфракрасная камера обзора</li>
<li>Вторая инфракрасная камера обзора *</li>
<li>Интегрированная плазменная очистка камеры образцов (деконтаминатор)</li>
</ul>
<h5>Вакуум в камере образцов (* – опционально)</h5>
<ul>
 <img loading="lazy" decoding="async" width="512" alt="Диапазоны давлений в камере TESCAN" src="/upload/medialibrary/11b/Vac3.png" height="308" title="Диапазоны давлений в камере TESCAN"> </p>
<li>Режим высокого вакуума HighVac™: &lt; 9 ∙ 10<sup>-3</sup> Па (SOLARIS X GMH работает только в режиме HighVac™)</li>
<li>Режим низкого вакуума UniVac™: 7 – 500 Па * (присутствует в SOLARIS X GMU)</li>
<li>Типы насосов: все насосы безмасляные</li>
<li>Шлюз *</li>
</ul>
<h5>Детекторы и измерители (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Измеритель поглощенного тока, включающий в себя функцию датчика касания</li>
<li>Внутрикамерный детектор вторичных электронов типа Эверхарта-Торнли (SE)</li>
<li>Встроенный в электронную колонну детектор вторичных электронов (In-Beam SE)</li>
<li>Встроенный в электронную колонну приосевой детектор отраженных электронов с фильтрацией по энергиям (In-Beam f-BSE)</li>
<li>Встроенный в электронную колонну детектор отражённых электронов, рассеянных на средние углы (Mid-angel BSE)</li>
<li>Сцинтилляционный детектор вторичных электронов для работы в режиме низкого вакуума (LVSTD) *</li>
<li>Детектор вторичных ионов (SITD) *</li>
<li>Выдвижной детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа c шаттером для защиты от FIB, чувствительный в том числе в области низких энергий первичного пучка (LE-BSE) *</li>
<li>Выдвижной детектор отражённых электронов сцинтилляционного типа (R-BSE) *</li>
<li>4-сегментный выдвижной полупроводниковый детектор отражённых электронов, чувствительный в том числе в области низких энергий первичного пучка (LE 4Q BSE) *</li>
<li>Выдвижной детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа с водяным охлаждением, устойчив к высоким температурам &lt;800°C *</li>
<li>Выдвижной детектор отраженных электронов сцинтилляционного типа с Al-покрытием для одновременного детектирования BSE- и катодолюминесцентного излучения (Al-BSE) *</li>
<li>Выдвижной панхроматический детектор катодолюминесцентного излучения со спектральным диапазоном 350 – 650 нм *</li>
<li>Выдвижной панхроматический детектор катодолюминесцентного излучения со спектральным диапазоном 185 – 850 нм *</li>
<li>Выдвижной 4-х канальный детектор цветной катодолюминесценции Rainbow CL *</li>
<li>Выдвижной детектор прошедших электронов (R-STEM), изображения светлого поля (BF), тёмного поля (DF) и в рассеянных на большие углы электронах (HADF), держатель для 8 сеточек *</li>
<li>EDS – энергодисперсионный спектрометр (интегрированный продукт другого производителя) *</li>
<li>EBSD – анализ картин дифракции отражённых электронов (интегрированный продукт другого производителя) *</li>
<li>WDS – волнодисперсионный спектрометр (интегрированный продукт другого производителя) *</li>
<li>Интегрированный с FIB вторично-ионный масс-спектрометр (TOF-SIMS) *</li>
<li>Конфокальный рамановский микроскоп со спектрометром (RISETM) *</li>
</ul>
<h5>Система инжектирования газов (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Выдвижной OptiGIS™ с одним резервуаром; доступно до 3 OptiGIS™ на одной камере с возможностью выбора прекурсоров *</li>
<li>5-GIS *: GIS c 5-ю независимыми резервуарами и капиллярами для 5-ти прекурсоров, но занимающий при этом только один порт камеры микроскопа, моторизация по 3-м осям</li>
</ul>
<h5>Выбор прекурсоров (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Осаждение платины (Pt) *</li>
<li>Осаждение вольфрама (W) *</li>
<li>Осаждение углерода (С) *</li>
<li>Осаждение диэлектрика (SiO<sub>x</sub>) *</li>
<li>Ускоренное травление (H<sub>2</sub>O) *</li>
<li>Ускоренное травление (XeF<sub>2</sub>) *</li>
<li>Запатентованные прекурсоры для процесса IC planar delayering (стравливание микросхем слой за слоем в планарной геометрии, а не традиционными поперечными кросс-секциями)</li>
<li>Другие прекурсоры по запросу *</li>
</ul>
<h5>Аксессуары (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Полностью интегрированный XYZ-наноманипулятор *</li>
<li>Опция Rocking Stage (качающийся столик) для создания кросс-секций, на поверхности которых нет артефакта «занавески»</li>
<li>Набор кремниевых масок True-X для создания безартефактных поперечных сечений</li>
<li>Наноманипуляторы других производителей по запросу *</li>
<li>Создание потока медленных электронов для нейтрализации заряда в процессе FIB-травления *</li>
<li>Пьезо-шаттер для защиты EDS в процессе FIB-травления *</li>
</ul>
<h5>Система сканирования</h5>
<h5>Независимые системы сканирования для FIB и SEM</h5>
<ul>
<li>Время выдержки: 20 нс – 10 мс на пиксель, регулируется ступенчато или непрерывно</li>
<li>Варианты сканирования: полный кадр, выделенная область, сканирование по линии и в точке</li>
<li>Сдвиг и вращение области сканирования, коррекция наклона поверхности образца</li>
<li>Аккумулирование линий или кадров</li>
<li>DrawBeam™: программный модуль для создания векторных шаблонов для литографии ионным пучком, цифро-аналоговый преобразователь 16-бит</li>
</ul>
<h5>Получение изображений (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Максимальный размер кадра: 16k x 16k пикселей</li>
<li>Соотношение сторон изображения: 1:1, 4:3 и 2:1</li>
<li>Сшивка изображений, размер панорам не ограничен (требуется программный модуль Image Snapper) *</li>
<li>Одновременное накопление сигналов с нескольких каналов детектирования (вплоть до 8 каналов)</li>
<li>Псевдоокрашивание изображений и микширование многоканальных сигналов</li>
<li>Множество форматов изображений, включая TIFF, PNG, BMP, JPEG и GIF</li>
<li>Глубина градаций серого (динамический диапазон): 8 или 16 бит</li>
</ul>
<p>
 В связи с непрерывной работой по улучшению продукции компания TESCAN оставляет за собой право изменять приведённые выше характеристики</p>
<h4><strong>ПО</strong></h4>
<h5>TESCAN Essence™</h5>
<ul>
<li>Настраиваемый графический интерфейс</li>
<li>Многопользовательский интерфейс с учетными записями с настраиваемым уровнем доступа</li>
<li>Панель быстрого поиска окон интерфейса</li>
<li>Отмена последней команды / Возврат последней команды&nbsp;</li>
<li>Отображение одного, двух, четырех или шести изображений одновременно в реальном времени</li>
<li>Многоканальное цветное живое изображение</li>
</ul>
<h5>Автоматические и полуавтоматические процедуры</h5>
<ul>
<li>Контроль эмиссии электронного и ионного пучков</li>
<li>Центрирование электронной пушки</li>
<li>Авто контраст/яркость, автофокус</li>
<li>In-Flight Beam Tracing™ (технология контроля и оптимизации рабочих характеристик и параметров пучка в реальном времени)</li>
<li>Оптимизация тока электронного пучка для выбранного диаметра электронного пучка, и наоборот</li>
<li>Оптимизация распределения тока вдоль профиля ионного пучка</li>
<li>Автоматическая процедура совмещения пучков FIB и SEM</li>
<li>Позиционирование и контроль температуры форсунки GIS</li>
</ul>
<h5>Программные модули Essence™ (* – опционально)</h5>
<ul>
<li>Измерения (расстояния; периметры и площади кругов, эллипсов, квадратов и полей неправильной формы, калибровка размера точки, экспорт измерений для статистической обработки и другие функции), контроль допусков</li>
<li>Обработка изображений (коррекция яркости/контраста, улучшение резкости, подавление шумов, сглаживание и увеличение четкости, дифференциальный контраст, коррекция тени, адаптивные фильтры, быстрое Фурье-преобразование и др. функции)</li>
<li>Предустановки</li>
<li>Гистограмма и шкала оттенков (LUT)</li>
<li>SharkSEM ™ Basic (удаленный контроль)</li>
<li>3D-модель схемы коллизий</li>
<li>Площадь объекта (выделение на снимке объектов с близким уровнем серого и измерение площади, занимаемой этими объектами)</li>
<li>Позиционер (навигация по образцу в соответствии с шаблоном, в качестве которого может выступать СЭМ-изображение, изображение с оптического микроскопа, фотография образца)</li>
<li>Draw BeamTM Live/Expert (программный модуль для создания векторных шаблонов для литографии ионным пучком)</li>
<li>Таймер выключения</li>
<li>FIB-SEM томография *</li>
<li>FIB-SEM томография (расширенная версия) *</li>
<li>CORAL™ (корреляционная микроскопия для удобной навигации и совмещения СЭМ-снимков со снимками сторонних устройств, например, с оптических микроскопов) *</li>
<li>Draw Beam Automate (программный модуль для создания векторных шаблонов для литографии ионным пучком с расширенными возможностями автоматизации) *</li>
<li>Сшивка изображений (автоматический процесс накопления изображений и их сшивки) *</li>
<li>Sample Observer (обозреватель образца для создания видеоряда из серии СЭМ-снимков, автоматически накопленных через заданный промежуток времени) *</li>
<li>SharkSEM™ Advanced (создание пользовательских алгоритмов, библиотека скриптов Python) *</li>
<li>Расширенная самодиагностика *</li>
<li>Программа-клиент Synopsys (расширение модуля Позиционер, которое совмещает данные макета из внешнего ПО Avalon MaskView c изображениями СЭМ или FIB через удаленное соединение; в основном предназначено для анализа неисправностей полупроводниковых устройств) *</li>
<li>TESCAN Flow™ (обработка данных в режиме offline) *</li>
</ul>
<p>Сообщение <a rel="nofollow" href="https://dsystem.by/product/tescan-solaris-x/">TESCAN SOLARIS X</a> появились сначала на <a rel="nofollow" href="https://dsystem.by">DSystem.by</a>.</p>
]]></content:encoded>
					
		
		
			</item>
	</channel>
</rss>
